Keinot edistää sää- ja ilmastoriskien hallintaa

ELASTINEN-tutkimushankkeessa selvitettiin sää- ja ilmastoriskien hallinnan tilaa Suomessa ja arvioitiin riskienhallintakeinoja sekä eri toimijoiden roolia. Lisäksi tarkasteltiin, miten riskienhallinnan kustannuksia ja hyötyjä arvioidaan sekä miten riskienhallinta voidaan kääntää liiketoiminnaksi. Yhteiskunnan toimivuuden ja turvallisuuden ylläpitäminen edellyttää aktiivista varautumista sään ääriilmiöihin. Hankkeen tulosten mukaan suomalaiset organisaatiot eivät usein arvioi sää- ja ilmastoriskejä systemaattisesti. Varautumisessa tulee ottaa huomioon, että ilmastonmuutos voi muuttaa sään ääri-ilmiöitä, niiden esiintymistiheyttä ja voimakkuutta. Näin varautuminen sään ääri ilmiöihin on myös osa sopeutumista ilmastonmuutokseen. ELASTINEN-hanke esittää kolme suositusta, joilla sää- ja ilmastoriskien hallintaa voitaisiin parantaa ja sopeutumistyötä tukea: 1) monipuolistetaan tiedon tuottoa ja käyttöä, 2) vahvistetaan yhteistyötä ja kehitetään toimintatapoja sekä 3) kehitetään palveluita ja liiketoimintamahdollisuuksia. Suositusten toteuttamiseksi esitetään toimenpide-ehdotuksia, minkä lisäksi on tunnistettu toimien toteuttajatahoja. Nykyistä monipuolisempi ja helpommin saatavilla oleva tieto parantaisi mahdollisuuksia arvioida ja hallita sää- ja ilmastoriskejä sekä kykyä sopeutua ilmastonmuutoksen vaikutuksiin. Suomessa tulisi myös arvioida säännöllisesti Suomen ulkopuolella tapahtuvia ilmastonmuutoksen vaikutuksia, jotka voivat heijastua Suomeen. Sää- ja ilmastoriskien hallintatoimia tulisi valita ja arvioida myös taloudellisen tehokkuuden näkökulmasta

Hybrid integration of InP photodetectors with SOI waveguides using thermocompression bonding

In this paper we present the integration of an InP-based photodetector with silicon-on-insulator (SOI) waveguides using thermocompression bonding. A BCB prism integrated on top of the light-sensitive area of a planar detector (PD) chip deflects the light from a 4 m thick SOI waveguide upward into the flip-chip bonded PD. A trench is etched in front of the SOI waveguide to accommodate prisms with apexes up to 7 m. Using thermocompression bonding between thin gold pads (500 nm thickness) deposited on both, SOI and photodetector chips an excellent vertical alignment accuracy of ±100 nm can be achieved, limited only by etching and Au-deposition tolerances. A commercial flip-chip bonder provides a lateral alignment accuracy also in the sub-micron range. Together with a previously developed process for integrating lasers and SOA chips using the same technology, fully functional PICs can now be realized on the SOI platform using thermocompression bonding

Integration of InP-based optoelectronics with silicon waveguides

Compound semiconductors provide state-of-the-art performance in optoelectronics, while silicon-on-insulator (SOI) is an ideal platform for many passive functions in integrated optics. By combining them one can realise optical devices with high performance and low cost. This paper discusses the various applications and technologies for integrating InP chips with SOI waveguides. Bonding of lasers, SOA arrays and detectors for practical applications is described. Experimental results are given for visually aligned thermo-compression bonding and self-aligned flip-chip bonding with indium bumps. Flip-chip bonding is reported directly on SOI chips, as well as on a separate silicon-optical-bench

Optical coupling of planar III-V pin photodiodes and SOI waveguides using an integrated BCB prism

Vertical hybrid integration of photodiodes (PD) and silicon-on-insulator (SOI) waveguides has been investigated. To this end, InP-based planar detectors were used onto which a polymer prism was formed to turn the light beam into the vertical direction. The photodiodes were flip-chip mounted onto a SOI waveguide platform using thermo-compression bonding. Comparable high responsivity of around 0.75 A/W was obtained when light was coupled directly into the prism as well as via a SOI waveguide. The responsivity for SOI integrated PDs was found to depend only to a minor extent on input wavelength and polarization. PD bandwidth of up to 10 GHz was measured. The investigated optical coupling scheme proved to work well also when integrating a PD with an array of ten SOI waveguides which are combined with a star coupler